特許

J-GLOBAL ID：200903041178121182

III-V族化合物半導体の製造方法

発明者： 湯浅 貴之 ,  猪口 和彦
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-344223
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186091
出願日： 1995年12月28日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】 III-V族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する際に、原料の分解効率を上げて、膜中に取り込まれる不純物や膜表面に検出される金属ドロップレットを低減すると共に、成膜効率を向上させる。【解決手段】 III族原料としての有機金属ガス、V族元素としてのアミン系原料ガスに加えて、加熱により分解してラジカル状態になる有機化合物ガスを供給して成長を行う。または、単一原料としてのIII族-窒素結合を有する有機金属化合物ガスに加えて、加熱により分解してラジカル状態になる有機化合物ガスを供給して成長を行う。

請求項（抜粋）：

V族元素として窒素を含むIII-V族化合物半導体を、有機金属気相成長法により製造する方法であって、III族原料としての有機金属ガスおよびV族原料としてのアミン系原料ガスに加えて、加熱により分解してラジカル状態になる有機化合物ガスを供給して成長を行うIII-V族化合物半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 ,  C23C 16/18

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 E ,  C23C 16/18