特許

J-GLOBAL ID：200903041182417185

透明導電膜の抵抗値低減方法および装置

発明者： 森 義明
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-254414
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082349
出願日： 1998年09月08日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：

【要約】【課題】 低抵抗の透明導電膜を容易に得られるようにする。【解決手段】 原料ガス供給源16からのCF4 は、水バブリングユニット20において水蒸気を添加されたのち、放電ユニット18に導入される。放電ユニット18は、気体放電を発生させてCF4 と水蒸気とを反応させ、HF、COF2 などの反応性のフッ素系ガスを生成する。反応性フッ素系ガスは、処理ガス供給配管40に流入する希釈ガスとともにフッ化処理室14に供給される。フッ化処理室14に配置されたITO薄膜44は、フッ化処理室14に供給された反応性フッ素系ガスによってフッ化され、抵抗値が低下する。

請求項（抜粋）：

成膜した透明導電膜をフッ化処理することを特徴とする透明導電膜の抵抗値低減方法。

IPC (2件)：

H01B 13/00 503 ,  C23C 14/58

FI (2件)：

H01B 13/00 503 B ,  C23C 14/58 Z

Fターム (7件)：

4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029EA00 ,  4K029EA05 ,  4K029GA00 ,  4K029GA01 ,  5G323BC03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-077208
  
• 表面処理方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-302540   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 表面処理方法及びその装置、半導体装置の製造方法及びその装置、並びに液晶ディスプレイの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-124250   出願人：セイコーエプソン株式会社