特許

J-GLOBAL ID：200903041188521316

PrF3単結晶薄膜の成膜方法

発明者： 足立 和則 ,  福田 承生
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-211195
公開番号（公開出願番号）：特開平10-053491
出願日： 1996年08月09日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】 従来成膜例のないPrF3 単結晶薄膜をMBE法により膜成長させて、結晶性の良好なPrF3 単結晶薄膜を得る。【解決手段】 PrF3 を蒸発セル又は電子ビームにより加熱蒸発させて、LaF3 (0001)基板又はアルカリ土類金属フッ化物(111)基板3上にPrF3 単結晶薄膜を成膜させる。基板温度は200〜850°C、PrF3 の蒸気圧は5.0×10-8〜1.0×10-4Torrの範囲で膜成長させる。【効果】 基板上に、結晶性の良いPrF3 単結晶薄膜を成膜することができ、フッ化物結晶系ヘテロ多層構造よりなる新規高性能光機能材料開発における大きな進展が図れる。

請求項（抜粋）：

PrF3 を蒸発セル又は電子ビームにより加熱蒸発させて、LaF3 (0001)基板又はアルカリ土類金属フッ化物(111)基板上にPrF3 単結晶薄膜を成膜させる方法であって、該基板温度を200〜850°C、PrF3 の蒸気圧を5.0×10-8〜1.0×10-4Torrの範囲で膜成長させることを特徴とするPrF3 単結晶薄膜の成膜方法。

IPC (6件)：

C30B 29/12 ,  C30B 23/02 ,  C30B 23/08 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/363 ,  G02B 1/00

FI (6件)：

C30B 29/12 ,  C30B 23/02 ,  C30B 23/08 M ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/363 ,  G02B 1/00