特許
J-GLOBAL ID：200903041190536649
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-156247
公開番号（公開出願番号）：特開平8-022945
出願日： 1994年07月07日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：
【要約】【目的】 化学増幅レジストを使用して微細なレジストパターンを形成する際に、解像度を向上することができるレジストパターン形成方法を提供する。【構成】 処理対象基板を200°C以上で所定時間熱処理を行う加熱工程と、前記処理対象基板を室温まで冷却する工程と、前記処理対象基板表面に化学増幅レジストを塗布しレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜の所定パターン領域を露光する工程と、前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記処理対象基板表面を所定の厚さエッチングする工程とを含む。
請求項（抜粋）：
処理対象基板を200°C以上で所定時間熱処理を行う加熱工程と、前記処理対象基板を室温まで冷却する工程と、前記処理対象基板表面に化学増幅レジストを塗布しレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜の所定パターン領域を露光する工程と、前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記処理対象基板表面を所定の厚さエッチングする工程とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G03F 1/08
, H01L 21/304 341
, H01L 21/304
H01L 21/30 563
, H01L 21/30 565
, H01L 21/30 570
