特許

J-GLOBAL ID：200903041196023570

高周波スイッチ

発明者： 神田 淳 ,  村口 正弘
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 高山 道夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-097406
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294786
出願日： 1999年04月05日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】 シリコン素子を用いてなるアナログ高周波スイッチのオン状態の通過損失特性とオフ状態のアイソレーション特性とを同時に改善し、スイッチ・オン状態時の低損失化と、オフ状態時の高アイソレーション化とを実現する。【解決手段】 シリコン基板上に形成されたFET及び金属配線の信号伝送路を有し、該FETのドレイン端子とソース端子に信号伝送路が接続され、ドレイン、ソース間のFETチャネル層を信号が通過する特性がゲート端子に印加される電圧によってオンまたはオフされる機能を備えた高周波スイッチにおいて、シリコン基板とFETとの間に、シリコンよりも低い誘電率を持つシリコン酸化膜の絶縁体層を挟んで、該FET及び信号伝送路が形成されており、かつ該シリコン基板が抵抗率500Ωcm以上の高抵抗シリコン基板である構成とした。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に形成されたFET及び金属配線の信号伝送路を有し、該FETのドレイン端子とソース端子に信号伝送路が接続され、ドレイン、ソース間のFETチャネル層を信号が通過する特性がゲート端子に印加される電圧によってオンまたはオフされる機能を備えた高周波スイッチにおいて、シリコン基板とFETとの間に、シリコンよりも低い誘電率を持つシリコン酸化膜の絶縁体層を挟んで、該FET及び信号伝送路が形成されており、かつ該シリコン基板が抵抗率500Ωcm以上の高抵抗シリコン基板である構造を特徴とする高周波スイッチ。

Fターム (9件)：

5F110AA02 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG28 ,  5F110HL02