特許

J-GLOBAL ID：200903041201958150

半導体ウエーハから微粒子汚染物を除去する方法及び装置

発明者： マノジ クマー ジャイン
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-028190
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279483
出願日： 1996年02月15日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 半導体ウエーハの表面から微粒子汚染物を除去する装置及び方法を提供する。【解決手段】 浄化装置14内でウエーハ10がウエーハホールダ12に保持され、粒子を除去する際にはリンズ用液供給システム18はウエーハ表面に脱イオン水を供給する。浄化パッド20はウエーハの研磨面と平行にパッドプラテン22上に装架される。プラテン22は駆動機構24に連結され、駆動機構は係合機構26によって浄化装置14に連結されている。該係合機構は垂直に移動して、パッド20及びウエーハを係合させ、粒子を除去しその時パッドの接触圧力を制御する。作業の際には供給システムからリンズ用液が供給され、ウエーハを回転させ、この時パッドは高速回転させ、かつウエーハと接触させる。パッドの高速回転は浄化には特に有利と考えられ、パッドの接触圧力と時間は二次的効果を有し、浄化過程でのウエーハ間の差異を減少させる。

請求項（抜粋）：

半導体ウエーハの表面から、微粒子汚染物を除去する方法において:前記ウエーハの表面を浄化パッドと接触させる段階と;前記ウエーハの表面及び(または)前記浄化パッドにリンズ用液を供給する段階と;前記ウエーハの表面と接触するパッドの、少なくとも一部分に、少なくとも24.384m/sec2 (80ft/sec2 )の求心加速度を加えるに十分な回転速度で、前記浄化パッドを回転させる段階とを有する方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 321 ,  B08B 1/04

FI (4件)：

H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/304 341 B ,  H01L 21/304 321 A ,  B08B 1/04