特許
J-GLOBAL ID：200903041203367337
薄膜磁性体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-145984
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343077
出願日： 2001年05月16日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：
【要約】【課題】 磁気トンネル接合部を有する磁性体メモリセルによって形成されるMRAMデバイスの低消費電力化を図る。【解決手段】 データ読出前に、ビット線BLおよびソース線SLの各々は、電源電圧VDDにプリチャージされる。データ読出時においては、選択されたメモリセル列のみにおいて、対応するビット線BLがデータバスDBと結合されるとともに、対応するソース線SLが接地電圧VSSに駆動される。非選択のメモリセル列においては、ビット線BLおよびソース線SLの各々は、プリチャージされた電源電圧VDDに維持される。データ読出に直接寄与しない、非選択のメモリセル列に対応するビット線BLに充放電電流が生じないので、データ読出時の消費電力を低減できる。
請求項（抜粋）：
印加磁界によって書込まれた記憶データレベルに応じて電気抵抗値が変化する複数のメモリセルと、各々が、前記複数のメモリセルの一定区分ごとに設けられ、データ読出時に前記記憶データレベルを読出すための複数の第1のデータ線と、前記複数の第1のデータ線に対応してそれぞれ配置されて、各々が、前記データ読出時において、前記一定区分に属するメモリセルのうちの選択された1つを介して、前記複数の第1のデータ線のうちの対応する1本と電気的に結合される複数のソース線と、前記複数の第1のデータ線に対応してそれぞれ配置される複数の第1のデータ線選択部とを備え、前記第1のデータ線選択部は、前記データ読出の前において、前記複数の第1のデータ線のうちの対応する1本を第1の電圧にプリチャージするとともに、前記データ読出時において、前記対応する1本の第1のデータ線を前記第1の電圧から電気的に切離し、前記複数のソース線に対応してそれぞれ配置される複数のソース線選択部をさらに備え、各前記ソース線選択部は、前記データ読出の前に、前記複数のソース線のうちの対応する1本を第2の電圧にプリチャージするためのソース線プリチャージ部と、前記データ読出時において、前記対応する1本のソース線を第3の電圧と電気的に結合するためのソース線駆動部とを含む、薄膜磁性体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11C 11/15
, G11C 11/14 A
, G11C 11/14 E
