特許

J-GLOBAL ID：200903041204721207

導体を埋め込まれた磁気的に軟らかい基準層を含む磁気抵抗素子

発明者： ルン・ティー・トラン ,  マニシュ・シャーマ ,  マノイ・ケイ・バータッチャヤ
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 古谷 馨 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-273428
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188357
出願日： 2002年09月19日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】導体を埋め込まれた磁気的に軟らかい基準層を含む磁気抵抗素子の提供。【解決手段】磁気メモリ素子は、2つの方向のいずれかに向けられることができる磁化を有するデータ強磁性層(12)と、基準層(912、912’)と、データ層と基準層(12と912、912’)との間のスペーサ層(16)とを含む。基準層(912、912’)は、誘電体層(914)と、その誘電体層(914)によって分離される第1および第2の導体(20と22)と、その第1および第2の導体(20、22)上の強磁性被覆(912a、912b、912a’、912b’)とを含む。

請求項（抜粋）：

磁気メモリ素子であって、2つの方向のいずれかに向けられることができる磁化を有するデータ強磁性層(12)と、誘電体層(914)と、その誘電体層(914)によって分離される第1および第2の導体(20、22)と、その第1および第2の導体(20、22)上の強磁性被覆(912a、912b、912a’、912b’)とを含む基準層(912、912’)と、及び前記データ層と前記基準層(12と912、912’)との間のスペーサ層(16)とを含む、磁気メモリ素子。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/15 112 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

G11C 11/15 112 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (9件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA37 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第6,259,644号明細書