特許
J-GLOBAL ID：200903041205056843
強電体データ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-509089
公開番号（公開出願番号）：特表2001-515256
出願日： 1998年08月13日
公開日（公表日）： 2001年09月18日
要約：
【要約】受動または電気的アドレス指定によってデータの処理および/または記憶を行うための強電体データ処理装置において、強電体物質の薄膜1の形態のデータ搬送媒体を用いる。この強電体物質は、電界の印可により、決定された極性状態に極性化され、またはそれらの間で切り替えられ、マトリクスの形態の電極構造内にまたはこの電極構造に隣接して連続層として設けられる。電極マトリクスのx電極2とy電極3との間の交差部に、論理素子4を形成する。強電体物質の保電力場よりも大きい電圧を電極2、3に印可することによって、論理素子4をアドレスする。強電体物質の極性状態およびヒステリシス・ループの形状に応じて、論理素子4における極性状態の別個の検出を得る。更に、論理素子の極性状態間で切り替えが可能であり、このため、双安定スイッチまたはメモリ・セルを実現するために使用可能である。本発明によるデータ処理装置は、別個の層を電気的絶縁層によって分離する場合、層状に積み重ねることができ、このため立体的なデータ処理装置を実現するために使用可能である。
請求項（抜粋）：
特に、能動または受動電気的アドレス指定によってデータの処理および/または記憶を行うための強電体データ処理装置であって、強電体物質の薄膜(1)の形態のデータ搬送媒体を備え、前記強電体物質は、電界の印可により、無秩序状態から極性状態の一方へ、または第1の極性状態から第2の極性状態もしくはその逆へと切り替えられることによって、第1または第2の極性状態を達成することができ、前記強電体物質は論理素子(4)を備え、論理素子(4)に割り当てられた極性状態が前記論理素子の論理値を表す、前記データ処理装置において、前記強電体薄膜(1)は、第1および第2の電極構造のそれぞれの内部にまたは前記第1および第2の電極構造に隣接して連続層として設けられ、前記第1および前記第2の電極構造の各々は互いにほぼ平行なストリップ状電極(2、3)を含み、前記電極構造が互いにほぼ直交するx、yマトリクスを形成するようになっており、前記第1の電極構造における前記電極(2)が前記電極マトリクスの列すなわちx電極を構成し、前記第2の電極構造における前記電極(3)が前記電極マトリクスの行すなわちy電極を構成し、更に、前記電極マトリクスのx電極(2)とy電極(3)との間の交差部における強電体薄膜(1)の部分が論理素子(4)を形成し、前記論理素子(4)が共に前記データ処理装置(2)において電気的に接続された受動マトリクスを形成することを特徴とするデータ処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (7件)：
5J042AA10
, 5J042BA00
, 5J042BA02
, 5J042CA00
, 5J042CA02
, 5J042CA20
, 5J042DA01
