特許

J-GLOBAL ID：200903041205822490

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 百冨 正樹 ,  渡辺 寿治 ,  宮本 順一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-137739
公開番号（公開出願番号）：特開平6-350059
出願日： 1993年06月08日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【目的】 メモリセルの微細化をはかることができ、かつビット線間のカップリングノイズを小さくすることができ、安定動作を行い得るEEPROMを提供すること。【構成】 浮遊ゲートと制御ゲートを有する不揮発性のメモリセルを複数個直列接続したNANDセルを複数個集積してなるEEPROMにおいて、NANDセルのドレイン拡散層に接続されるビット線181 〜1816をタングステンのポリサイドからなる第1の導電層で形成し、NANDセルのソース拡散層に接続されるソース線211 をAlからなる第2の導電層で形成し、第1の導電層の孤立パターン1817をソース拡散層上に形成して該層とコンタクトさせ、この孤立パターン1817にソース線211 を接続し、ビット線181 〜1816を孤立パターン1817を避けるように配置したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

電気的書き替え可能な不揮発性のメモリセルを複数個集積してなる不揮発性半導体記憶装置において、前記セルのドレイン拡散層に接続されるビット線を第1の導電層で形成し、前記セルのソース拡散層に接続されるソース線を第2の導電層で形成し、前記ビット線を形成する第1の導電層を、前記ソース拡散層と第2の導電層の接続部を避けるように配置したことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭60-182162
  
• 特開平2-246376