画像形成装置及びプロセスカートリッジ

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：黒田壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-179453
公開番号（公開出願番号）：特開2005-017469
出願日： 2003年06月24日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】接触又は近接させて配置した帯電部材による交流印加放電を利用して被帯電体を帯電させる方式において、上記放電による被帯電体表面の化学的劣化を防止することができる画像形成装置、プロセスカートリッジを提供すること。【解決手段】移動可能な被帯電体1に接触または近接して対向配置される帯電部材2aを具備し、帯電部材2aに交流成分を含む電圧を印加して被帯電体1を帯電する帯電装置2とを有する画像形成装置において、放電による被帯電体1表面の劣化を防止するための保護物質32を被帯電体1上に存在させ、XPSにより検出される被帯電体1最表面を構成する物質の全元素の元素個数総和に対する、XPSにより検出される保護物質32の特定元素の元素個数割合[%]を、帯電条件等に応じて適切な状態となるように構成した。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

移動可能な被帯電体と、該被帯電体に接触または近接して対向配置される帯電部材を具備し、該帯電部材に交流成分を含む電圧を印加して該被帯電体を帯電する帯電装置とを有する画像形成装置において、上記帯電による上記被帯電体表面の劣化を防止するための保護物質を該被帯電体上に存在させ、上記帯電部材により該被帯電体を帯電させる領域において、X線光電子分光分析装置(XPS)により検出される該被帯電体最表面を構成する物質の全元素の元素個数総和に対する、該XPSにより検出される該保護物質の特定元素の元素個数割合[%]を、次の数1以上とすることを特徴とする画像形成装置。 <数1> 1.52×10-4×{Vpp-2×Vth}×f/v×Nα (ここで、VppはAC電圧のピークツーピーク電圧値[単位:V]、fは帯電部材に印加する交流成分の周波数[単位:Hz]、vは被帯電体表面の移動速度[単位:mm/sec]、Nαは保護物質を構成する元素のうち特定元素の1分子中における元素個数である。また、Vthは放電開始電圧であり、以下の数2により求められる。 <数2> Vth=312+6.2×(d/εopc+Gp/εair)+√(7737.6×d/εopc) このとき、dは被帯電体の膜厚[単位:μm]、εopcは被帯電体の比誘電率、εairは被帯電体と帯電部材の間の空間における比誘電率、Gpは帯電部材表面と被帯電体表面との最近接距離[単位:μm]である。)

IPC (3件)：

G03G15/02 , G03G5/04 , G03G5/147

FI (4件)：

G03G15/02 103 , G03G15/02 102 , G03G5/04 , G03G5/147

Fターム (30件)：

2H068AA08 , 2H068AA28 , 2H068FA27 , 2H068FC01 , 2H200FA02 , 2H200FA09 , 2H200GA23 , 2H200GA44 , 2H200GB41 , 2H200HA03 , 2H200HA14 , 2H200HA21 , 2H200HA29 , 2H200HA30 , 2H200HB12 , 2H200HB22 , 2H200HB48 , 2H200JA02 , 2H200JB10 , 2H200MA01 , 2H200MA20 , 2H200NA06 , 2H200NA08 , 2H200NA09 , 2H200NA10 , 2H200PA05 , 2H200PA06 , 2H200PA11 , 2H200PB27 , 2H200PB28

引用特許：

出願人引用 (1件)

画像形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-146668 出願人：富士ゼロックス株式会社

審査官引用 (1件)

画像形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-146668 出願人：富士ゼロックス株式会社

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