特許

J-GLOBAL ID：200903041207385763

光変調器集積型多重量子井戸構造半導体レーザ素子

発明者： 高野 信司
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-041642
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314839
出願日： 1993年03月03日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：

【要約】【目的】従来、キャリアのパイルアップによる帯域劣化の欠点のあった多重量子井戸構造外部変調器の課題を解決し、高速変調可能で挿入損失の小さな多重量子井戸構造外部変調器集積半導体レーザ素子を容易に、歩留まり良く作製する手段を提供する。【構成】本発明は、光変調器集積型で多重量子井戸構造を含む半導体層を積層してなる多重量子井戸構造半導体レーザにおいて、光変調器部の多重量子井戸構造の量子準位が結合している結合多重量子井戸構造を有する構成により、吸収により発生した多量のキャリアが速やかに消失し、変調電界に応じた変調が可能となる広帯域、高出力な光変調器集積半導体レーザ素子を実現する。

請求項（抜粋）：

レーザダイオード部と光変調器部とを集積した多重量子井戸構造半導体レーザ素子において、光変調器部の多重量子井戸構造は量子準位が結合している結合多重量子井戸構造となっていることを特徴とする光変調器集積型多重量子井戸構造半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-287982
  
• 特開平3-041791
  
• 特開平4-241487