特許
J-GLOBAL ID:200903041211885959
リングレーザ、リング導波路装置、その製造方法および該装置を用いた光ジャイロ、光インターコネクション
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
西山 恵三 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-214389
公開番号(公開出願番号):特開2002-033550
出願日: 2000年07月14日
公開日(公表日): 2002年01月31日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 低閾値で発振可能なリング導波路装置、リングレーザを提供する。【解決手段】 多層膜からなるリッジ形状導波路のリングレーザであって、該多層膜は活性層3、及び該活性層の上部及び/又は下部にAlを含む半導体層6を含み、該多層膜の内該半導体層6が選択的に側面から酸化されており、電流狭窄構造となっている。これにより閾値電力の低下が可能である。
請求項(抜粋):
多層膜からなるリッジ形状導波路であって、該多層膜は、活性層、及び該活性層の上部及び/又は下部に第1の半導体層を含み、該多層膜の内該第1の半導体層が選択的に側面から酸化され電流狭窄構造となっていることを特徴とするリングレーザ。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (19件):
2F105AA02
, 2F105AA08
, 2F105AA10
, 2F105BB02
, 2F105BB03
, 2F105BB13
, 2F105BB15
, 2F105BB20
, 2F105DD07
, 5F073AA07
, 5F073AA51
, 5F073AA66
, 5F073AA74
, 5F073BA09
, 5F073CA04
, 5F073CB22
, 5F073DA05
, 5F073DA26
, 5F073EA23
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