特許

J-GLOBAL ID：200903041221781493

カーボンナノチューブデバイスおよびその製造方法

発明者： 田 透 ,  岩崎 達哉
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-305512
公開番号（公開出願番号）：特開平11-139815
出願日： 1997年11月07日
公開日（公表日）： 1999年05月25日
要約：

【要約】【課題】 カボンナノチューブの片方、もしくは両端を基体上に電極に接合しカーボンナノチューブに電流を効率よく流すデバイス、カーボンナノチューブに流れる電流量を磁場で制御できるデバイスを提供する。【解決手段】 Fe,CoまたはNiを含有する触媒超微粒子がCu,Ag,AuまたはCrが主成分である材料に分散されている表面を有する基体を、エチレン、アセチレンまたは一酸化炭素ガスを原料ガスとして含む雰囲気中で400〜800°Cで加熱して原料ガスを熱分解することにより基体の表面からカーボンナノチューブを成長させてデバイスを得る。

請求項（抜粋）：

カーボンナノチューブを用いたデバイスであって、少なくとも該カーボンナノチューブの片方が基体に接続してあり、かつその接合部分にFe,Co,Niのうち1種類以上からなる金属を含有する触媒超微粒子があり、該触媒超微粒子がCu,Ag,Au,Crのうち1種類以上からなる金属が主成分である材料に分散されていることを特徴とするカーボンナノチューブデバイス。

IPC (5件)：

C01B 31/02 101 ,  B01J 23/86 ,  B01J 23/89 ,  D01F 9/127 ,  H01B 1/04

FI (5件)：

C01B 31/02 101 Z ,  B01J 23/86 M ,  B01J 23/89 M ,  D01F 9/127 ,  H01B 1/04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 炭素質ファイバーの作成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-028087   出願人：科学技術振興事業団, 松下電器産業株式会社