特許
J-GLOBAL ID：200903041228695304
II-VI族化合物半導体の選択的ドライエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-127635
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335620
出願日： 1994年06月09日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 III-V族化合物半導体に対して、II-VI族化合物半導体を選択的にエッチングすることのできるII-VI族化合物半導体の選択的ドライエッチング方法を提供する。【構成】 エッチングがなされるII-VI族化合物半導体を有する被エッチング体1が配置された処理室2内に、80%(体積比)以上の希ガスによるガスを導入し、主として上記希ガスイオンの上記被エッチング体1に対する衝撃によるドライエッチングによって上記II-VI族化合物半導体を選択的にエッチングする。
請求項（抜粋）：
エッチングがなされるII-VI族化合物半導体を有する被エッチング体が配置された処理室内に、80%以上の希ガスによるガスを導入し、主として上記希ガスイオンの上記被エッチング体に対する衝撃によるドライエッチングによって上記II-VI族化合物半導体を選択的にエッチングを行うことを特徴とする化合物半導体の選択的ドライエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, H01L 33/00
, H01S 3/18
