特許
J-GLOBAL ID：200903041231486015
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-176387
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021214
出願日： 1992年07月03日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】 (修正有)【構成】半導体装置の製造方法において、トレンチ素子分離、トレンチキャパシタの形成方法に関する。トレンチコーナーの丸め処理に関して、半導体基板1に溝を形成し、アモルファスシリコンあるいはエピタキシャル成長によりシリコン膜3を形成する工程でシリコン表面の角を丸めた5後、熱酸化あるいはNF3添加の熱酸化をする工程を行なう。【効果】アモルファスあるいはエピタキシャルシリコンの形成で、シリコン表面の角の部分が丸められ、また酸化による生じる寸法変換差を補うことになるので、寸法変換差の少ない効果的な丸め処理ができ、微細化に対応した高信頼性のデバイスが実現できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板にトレンチを形成する工程と、該トレンチ形成後の該半導体基板に、アモルファスシリコンを堆積する工程と、熱酸化をする工程を少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/76
, H01L 27/04
, H01L 27/108
