特許
J-GLOBAL ID：200903041232409006

半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
太田 清久

太田 清久 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-269254
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101141
出願日： 1998年09月24日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】 露出するPN接合部及びその近傍の加工は、ダイシング等の機械加工後に、硫酸-過酸化水素系のエッチング液等で化学処理されるのみで、機械加工のダメージを完全に除去することは困難であり、PN接合面の表面リークを完全に防止することは困難であった。【解決手段】 本発明の半導体発光素子は、PN接合を有する半導体層が積層形成され、該半導体層を挟んで電極層が形成されてなる半導体発光素子であり、且つ、前記半導体層のPN接合面に垂直な端面のうち少なくとも一端面上に露出するPN接合部及びその近傍が、周囲の前記電極層端面よりも低い位置になるようにエッチング法を主体とした外形形状加工を施すことを特徴とするものである。
請求項（抜粋）：
PN接合を有する半導体層が積層形成され、該半導体層を挟んで電極層が形成されてなる半導体発光素子であり、且つ、前記半導体層のPN接合面に垂直な端面のうち少なくとも一端面上に露出するPN接合部及びその近傍が、周囲の前記電極層端面よりも低い位置になるように形成されてなる半導体発光素子において、前記露出するPN接合部及びその近傍にエッチング法を施すことよりその外形形状を加工することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (3件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 D ,  H01S 3/18 673
Fターム (7件)：
5F041AA03 ,  5F041AA44 ,  5F041CA33 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CB03 ,  5F073DA21
引用特許：
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM