特許

J-GLOBAL ID：200903041240422143

疎水性修飾ポリロタキサン

発明者： 伊藤 耕三 ,  荒木 潤 ,  鈴木 達也 ,  山中 雅彦 ,  渡邉 健太郎
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社 ,  国立大学法人 東京大学
代理人 (1件)： 的場 基憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-186545
公開番号（公開出願番号）：特開2009-270119
出願日： 2009年08月11日
公開日（公表日）： 2009年11月19日
要約：

【課題】有機溶剤に可溶な疎水性修飾ポリロタキサンを提供する。【解決手段】疎水性修飾ポリロタキサンは、環状分子と、この環状分子を串刺し状に包接する直鎖状分子と、この直鎖状分子の両末端に配置され上記環状分子の脱離を防止する封鎖基とを有し、上記環状分子がシクロデキストリンであり、当該シクロデキストリンの水酸基の一部または全部が修飾基で修飾され、その修飾基がカプロラクトンによる修飾基である(-CO(CH2)5OH)基を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

環状分子と、この環状分子を串刺し状に包接する直鎖状分子と、この直鎖状分子の両末端に配置され上記環状分子の脱離を防止する封鎖基とを有するポリロタキサンにおいて、 上記環状分子がシクロデキストリンであり、当該シクロデキストリンの水酸基の一部または全部が修飾基で修飾され、その修飾基がカプロラクトンによる修飾基である(-CO(CH2)5OH)基を有することを特徴とする疎水性修飾ポリロタキサン。

IPC (2件)：

C08B 37/16 ,  C08G 65/00

FI (2件)：

C08B37/16 ,  C08G65/00

Fターム (8件)：

4C090AA02 ,  4C090AA05 ,  4C090BA10 ,  4C090BD04 ,  4C090CA38 ,  4C090DA03 ,  4C090DA08 ,  4J005AA11

引用特許：

審査官引用 (1件)

• アシル化シクロデキストリン誘導体
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-521394   出願人：ポリ-メド