特許
J-GLOBAL ID：200903041242386772
半導体ウエハの処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-047973
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217541
出願日： 1992年02月03日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 イオン照射に伴う重金属元素による半導体ウエハの汚染を防止することができる半導体ウエハの処理装置を提供することにある。【構成】 ウエハ1を収容して気密室を形成する注入室9と、注入室9内でウエハ1を保持する保持装置80と、イオンビーム91をウエハ1に照射してイオンを注入するイオンビーム生成照射装置8とを備えているイオン注入装置2において、保持装置80のプラテン82、ストッパ83の表面にシリコン保護被膜84が被着されている。【効果】 イオンビーム91がプラテン82、ストッパ83に照射されたとしても、その照射によってスパッタリングされて飛び出す原子は、シリコン被膜84からのシリコン粒子92であるため、スパッタ粒子92がウエハ1に付着したとしても、ウエハの重金属元素汚染が発生するのを防止することができる。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハを収容して気密室を形成する処理室と、処理室内を真空排気する真空排気装置と、処理室内で半導体ウエハを保持する保持装置と、粒子を生成し、この粒子を保持装置に保持された半導体ウエハに作用させて処理を施す粒子生成装置とを備えている半導体ウエハの処理装置において、前記保持装置の少なくとも表面層の一部が、半導体ウエハと同族の元素により形成されていることを特徴とする半導体ウエハの処理装置。
IPC (2件)：
H01J 37/317
, H01L 21/265
