特許

J-GLOBAL ID：200903041243034551

半導体装置

発明者： 鎌田 周次
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-147426
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340806
出願日： 1999年05月27日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】逆回復時のリカバリー電流による素子破壊を防ぎ、順方向電圧を低減したPINダイオードを提供することを目的とする。【解決手段】コンタクトマージン9下部のアノード領域3内部にトレンチ絶縁溝11を形成しており、トレンチ絶縁溝内部は絶縁体を有していることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

高濃度第一導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に形成された低濃度第一導電型の半導体層と、前記低濃度第一導電型の半導体層上の一部に形成された第二導電型半導体領域と、前記第二導電型半導体領域端部上及び前記低濃度第一導電型の半導体層上に形成された絶縁層と、前記第二導電型半導体領域端部上に形成された前記絶縁層上の一部及び前記第二導電型半導体領域上に形成された電極と、前記電極と前記絶縁層との接続部下の前記第二導電型半導体領域に形成され、内部に絶縁体を有するトレンチと、を具備することを特徴とする半導体装置。