特許

J-GLOBAL ID：200903041245002908

半導体装置およびその製造方法

発明者： 伊藤 仁 ,  奈良 明子 ,  長嶺 真
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-068830
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237785
出願日： 1996年03月25日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：

【要約】【課題】高段差被覆性、低誘電率かつ低吸湿性の層間絶縁膜を提供すること。【解決手段】層間絶縁膜203として、シリコン、酸素、炭素および水素の化合物からなり、かつ室温で粘性を有し、粘度が100cps以上300000cps以下の絶縁膜を用いる。

請求項（抜粋）：

シリコン、酸素、炭素および水素の化合物からなり、かつ炭素の含有率がシリコンの含有率よりも大きい絶縁膜が、層間絶縁膜および保護絶縁膜の少なくとも一方に用いられたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 K ,  H01L 21/95