半導体レーザ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-212462
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066491
出願日： 1993年08月27日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】低消費電力で、非点収差の生じない、窓構造を有する赤色半導体レーザを得る。【構成】 {100}面に対する傾きが所定角度以下である第1の結晶面,及び該第1の結晶面と共振器端面との間に配置された、{100}面に対する傾きの角度が上記第1の結晶面の{100}面に対する傾きの角度よりも大きい第2の結晶面を有する下クラッド層4と、該下クラッド層4上に配置された、{100}面上に成長させた場合に結晶を構成する原子が規則正しく配列された秩序状態で結晶成長し、{100}面に対し傾きを有する面上に成長させた場合に原子の配列の規則性が乱れた無秩序状態で結晶成長する成長条件で結晶成長されたGaInPまたはAlGaInPからなる結晶薄膜を含む活性層5と、該活性層5上に配置された上クラッド層6とを備えた構成とした。

請求項（抜粋）：

第1導電型基板上に順次結晶成長された、第1導電型半導体層,活性層,及び第2導電型半導体層とを有する半導体レーザにおいて、上記第1導電型半導体層は、その上に上記活性層が配置される主表面に、{100}面に対する傾きが所定角度以下である第1の結晶面,及び該第1の結晶面と共振器端面との間に配置された、{100}面に対する傾きの角度が上記第1の結晶面の{100}面に対する傾きの角度よりも大きい第2の結晶面を有するものであり、上記活性層は、{100}面上に成長させた場合に結晶を構成する原子が規則正しく配列された秩序状態で結晶成長し、{100}面に対し傾きを有する面上に成長させた場合に原子の配列の規則性が乱れた無秩序状態で結晶成長する成長条件で結晶成長されたGaInPまたはAlGaInPからなる結晶薄膜を含むものであることを特徴とする半導体レーザ。

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