特許

J-GLOBAL ID：200903041246901124

半導体薄膜の成長方法

発明者： 今井 秀秋 ,  宮田 邦夫
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 一雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-231648
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074710
出願日： 1991年09月11日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】 紫外〜青色領域の光素子用として最適なGaN系半導体薄膜を得ること。【構成】 真空中に設置したプラズマガスセルを使用し、活性化した窒素を窒素源に用いてGaN系半導体薄膜をガスソースMBEなどの真空装置を使用した成膜方法により作製する。【効果】 薄い膜厚で平坦であり、結晶性に優れた薄膜を得ることができる。また、キャリアー密度の制御が容易であるため光素子用の半導体薄膜の作製方法として最適である。

請求項（抜粋）：

高真空中で窒化ガリウム系半導体薄膜を製造するに際し、プラズマガスセルにより生成した活性窒素を基板表面に供給することを特徴とする窒化ガリウム系半導体薄膜の成長方法。

IPC (6件)：

H01L 21/203 ,  B01J 19/08 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00