特許

J-GLOBAL ID：200903041249015605

液相成長方法および液相成長装置

発明者： 中川 克己 ,  浮世 典孝 ,  庄司 辰美 ,  齊藤 哲郎 ,  吉野 豪人 ,  水谷 匡希 ,  西田 彰志 ,  岩根 正晃
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-382279
公開番号（公開出願番号）：特開2002-187791
出願日： 2000年12月15日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：

【要約】【課題】 高い成長速度が得られ、1バッチに多数枚の基板を投入しても、基板内や基板間の成長速度の分布が均一で、装置を大型化しても、メルトの反応や汚染を低減しやすい液相成長方法、および、装置を提供する。【解決手段】 坩堝内の、結晶材料が溶け込んだメルトに、支持架に支持された基板を浸漬し、その基板上に結晶を成長させる液相成長方法において、前記支持架に対する前記坩堝の回転中心から外れた位置で、前記坩堝内のメルトに浸漬される少なくとも一群の基板を、互いに所定の間隔を保ちつつ基板表面の向きが前記坩堝内でのメルトの流れに対してほぼ平行になるように、前記支持架に装備して、基板表面に結晶を成長させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

結晶材料が溶け込んだ坩堝内のメルトに、基板を浸漬し、その基板上に結晶を成長させる液相成長方法において、前記坩堝の回転中心から外れた位置に前記基板を配置し、前記基板表面に結晶を成長させることを特徴とする液相成長方法。

IPC (4件)：

C30B 19/00 ,  H01L 21/208 ,  H01L 31/04 ,  C30B 29/06 501

FI (4件)：

C30B 19/00 Z ,  H01L 21/208 L ,  C30B 29/06 501 B ,  H01L 31/04 X

Fターム (28件)：

4G077AA03 ,  4G077BA04 ,  4G077CC03 ,  4G077CC04 ,  4G077ED06 ,  4G077EG01 ,  4G077EG03 ,  4G077HA06 ,  5F051AA02 ,  5F051CB02 ,  5F051CB21 ,  5F051CB24 ,  5F051CB30 ,  5F051DA04 ,  5F051FA10 ,  5F051GA03 ,  5F051GA04 ,  5F051GA20 ,  5F053AA03 ,  5F053BB04 ,  5F053BB08 ,  5F053BB38 ,  5F053DD01 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053LL05 ,  5F053RR05