横型薄膜シリコンオンインシュレータ(SOI)JFETデバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：津軽進 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-588812
公開番号（公開出願番号）：特表2002-532905
出願日： 1999年11月24日
公開日（公表日）： 2002年10月02日
要約：

【要約】横型薄膜シリコンオンインシュレータ(SOI)JFETデバイスは、半導体基板と、前記基板上に絶縁埋込み層と、前記埋込み絶縁層上の第1導電型の半導体薄層にJFETデバイスとを有する。前記デバイスは、第1導電型のソース領域と、前記ソース領域から横方向に関して隔てられてた第2導電型の制御領域と、前記制御領域に隣接する第1導電型の横型ドリフト領域とを有する。第1導電型のドレイン領域は、前記横型ドリフト領域によって第1の横方向において前記制御領域から横方向に関して隔てられるように設けられる。少なくとも1つのフィールドプレート電極が、横型ドリフト領域の少なくとも主要部分の上に設けられ、絶縁領域によって前記ドリフト領域から絶縁される。前記制御領域は、前記半導体薄層の一部によって第1の横方向と垂直な第2の横方向において間隔をおいて設けられた制御領域セグメントを有する。こうして通常「オン」のJFETデバイスを提供する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記基板上の埋込み絶縁層と、前記埋込み絶縁層上の第1導電型の半導体薄層にJFETデバイスとを有し、前記JFETデバイスは、第1導電型のソース領域と、第1導電型と反対の第2導電型であり且つ前記ソース領域から横方向に関して隔てられている制御領域と、前記制御領域に隣接する第1導電型の横型ドリフト領域と、第1導電型であり且つ前記横型ドリフト領域により第1の横方向において前記制御領域から横方向に関して隔てられているドレイン領域と、前記横型ドリフト領域の少なくとも主要部分の上に少なくとも1つのフィールドプレート電極とを有し、前記フィールドプレート電極は、絶縁領域により前記ドリフト領域から絶縁され、前記制御領域は、前記半導体薄層の一部により前記第1の横方向と垂直の第2の横方向において間隔をおいて設けられた制御領域セグメントを有する、横型薄膜シリコンオンインシュレータ(SOI)JFETデバイス。

IPC (2件)：

H01L 21/337 , H01L 29/808

Fターム (10件)：

5F102FA01 , 5F102FA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GC05 , 5F102GD04 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GR00 , 5F102GR11

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