特許
J-GLOBAL ID:200903041255018110
クラスレート化合物薄膜の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (4件):
中島 淳
, 加藤 和詳
, 西元 勝一
, 福田 浩志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-093305
公開番号(公開出願番号):特開2006-274327
出願日: 2005年03月28日
公開日(公表日): 2006年10月12日
要約:
【課題】 成膜試料がプラズマによるダメージを受けることなく、任意の基板に性状のよいクラスレート化合物からなる膜を簡便に効率よく製造する方法を提供する。【解決手段】 籠状分子集合体の結晶構造を有するクラスレート化合物薄膜を基板16上に製造する方法であって、ターゲット20をヘリコン励起スパッタ法によりスパッタし、基板16上に前記クラスレート化合物薄膜を形成することを特徴とするクラスレート化合物薄膜の製造方法。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
籠状分子集合体の結晶構造を有するクラスレート化合物薄膜を基板上に製造する方法であって、ターゲットをヘリコン励起スパッタ法によりスパッタし、基板上に前記クラスレート化合物薄膜を形成することを特徴とするクラスレート化合物薄膜の製造方法。
IPC (6件):
C23C 14/34
, C01B 33/02
, C23C 14/06
, H01L 21/203
, H01L 35/14
, H01L 35/34
FI (7件):
C23C14/34 S
, C23C14/34 R
, C01B33/02
, C23C14/06 K
, H01L21/203 S
, H01L35/14
, H01L35/34
Fターム (24件):
4G072AA20
, 4G072BB09
, 4G072FF06
, 4G072GG02
, 4G072HH01
, 4G072JJ09
, 4G072NN11
, 4G072UU01
, 4K029AA06
, 4K029AA07
, 4K029BA41
, 4K029BB07
, 4K029CA13
, 4K029DC05
, 4K029DC09
, 4K029DC39
, 4K029EA06
, 4K029EA08
, 5F103AA08
, 5F103DD30
, 5F103GG10
, 5F103HH03
, 5F103HH04
, 5F103RR05
引用特許:
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