特許
J-GLOBAL ID:200903041255018110

クラスレート化合物薄膜の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-093305
公開番号(公開出願番号):特開2006-274327
出願日: 2005年03月28日
公開日(公表日): 2006年10月12日
要約:
【課題】 成膜試料がプラズマによるダメージを受けることなく、任意の基板に性状のよいクラスレート化合物からなる膜を簡便に効率よく製造する方法を提供する。【解決手段】 籠状分子集合体の結晶構造を有するクラスレート化合物薄膜を基板16上に製造する方法であって、ターゲット20をヘリコン励起スパッタ法によりスパッタし、基板16上に前記クラスレート化合物薄膜を形成することを特徴とするクラスレート化合物薄膜の製造方法。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
籠状分子集合体の結晶構造を有するクラスレート化合物薄膜を基板上に製造する方法であって、ターゲットをヘリコン励起スパッタ法によりスパッタし、基板上に前記クラスレート化合物薄膜を形成することを特徴とするクラスレート化合物薄膜の製造方法。
IPC (6件):
C23C 14/34 ,  C01B 33/02 ,  C23C 14/06 ,  H01L 21/203 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/34
FI (7件):
C23C14/34 S ,  C23C14/34 R ,  C01B33/02 ,  C23C14/06 K ,  H01L21/203 S ,  H01L35/14 ,  H01L35/34
Fターム (24件):
4G072AA20 ,  4G072BB09 ,  4G072FF06 ,  4G072GG02 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ09 ,  4G072NN11 ,  4G072UU01 ,  4K029AA06 ,  4K029AA07 ,  4K029BA41 ,  4K029BB07 ,  4K029CA13 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC39 ,  4K029EA06 ,  4K029EA08 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103GG10 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103RR05
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 特許第2914373号

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