特許

J-GLOBAL ID：200903041257736591

レジスト洗浄除去用溶剤および電子部品製造用基材の製造方法

発明者： 菅家 了 ,  井口 直也 ,  芥川 由臣志
出願人/特許権者： 富士フイルムオーリン株式会社
代理人 (1件)： 萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-019510
公開番号（公開出願番号）：特開平11-218933
出願日： 1998年01月30日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】【課題】 レジストの溶解性に優れ、毒性がなく、作業安全性が高く、また、エッジ部レジストの形状が滑らかで、しかも膜厚を一定に保つのに好適に用いられるレジスト洗浄除去用溶剤を提供し、また反射防止膜成分に対しても良好な溶解性を有するレジスト洗浄除去用溶剤を提供すること、更に前記溶剤を用いた電子部品製造用基材の製造方法を提供することである。【解決手段】 (a)プロピレングリコールアルキルエーテル、(b)炭素数1〜7のモノケトン、および(c)ラクタム類またはラクトン類を含有することを特徴とするレジスト洗浄除去用溶剤及びスピンナーによりレジストまたは反射防止膜を基板表面上に塗布、形成し、次いで、該基板の裏面及びエッジ部に付着した不要のレジストまたは反射防止膜を上記レジスト洗浄除去用溶剤であらかじめ除去した後乾燥処理することを特徴とする電子部品製造用基材の製造方法。

請求項（抜粋）：

(a)プロピレングリコールアルキルエーテル、(b)炭素数1〜7のモノケトン、および(c)ラクタム類またはラクトン類を含有することを特徴とするレジスト洗浄除去用溶剤。

IPC (3件)：

G03F 7/32 501 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/32 501 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/30 577