特許

J-GLOBAL ID：200903041259910580

太陽電池の製造方法

発明者： 伊藤 忠 ,  東 博純 ,  山口 真史
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-351852
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168363
出願日： 1999年12月10日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】 優れた光電変換特性を有する太陽電池を効率よくかつ簡便に得ることが可能な太陽電池の製造方法を提供すること。【解決手段】 光電変換素子部として、p型半導体層とn型半導体層とからなるpn接合素子部又はp型半導体層とi型半導体層とn型半導体層とからなるpin接合素子部を有する太陽電池の製造方法であって、基板10上に光電変換素子部40を形成した後に、パルスレーザー光L60を光電変換素子部に照射することによってp型半導体層及びn型半導体層を構成する半導体結晶粒を同時に粗大化せしめることを特徴とする。これにより、光電変換素子部におけるpn又はpin接合面を損傷することなく光電変換素子部内の半導体結晶粒を結晶性の高い状態で粗大化することができるので、優れた光電変換特性を有する太陽電池を製造できる。

請求項（抜粋）：

光電変換素子部として、p型半導体層とn型半導体層とからなるpn接合素子部又はp型半導体層とi型半導体層とn型半導体層とからなるpin接合素子部を有する太陽電池の製造方法であって、基板上に前記光電変換素子部を形成した後に、パルスレーザー光を該光電変換素子部に照射することによって前記p型半導体層及びn型半導体層を構成する半導体結晶粒を同時に粗大化せしめることを特徴とする太陽電池の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/20

FI (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 31/04 X

Fターム (18件)：

5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA15 ,  5F051CA31 ,  5F051CB25 ,  5F051DA03 ,  5F051DA04 ,  5F051GA04 ,  5F052AA02 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA06 ,  5F052GC03 ,  5F052JA09

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭56-023784
  
• 特開昭56-023784
  
• 半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-018098   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭56-023784