特許

J-GLOBAL ID：200903041265549466

半導体装置の製造方法

発明者： 山本 栄一 ,  池田 浩一
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 高山 敏夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-332827
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163205
出願日： 1996年11月27日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】 パタンルールとその粗密度、チップの大小に影響されない平坦化手法を提供することであり、かつローコスト、高歩留まりの技術を開発すること。【解決手段】 機械化学研磨法(CMP)を用いて基板上に形成した半導体装置の配線層を平坦化する半導体装置の製造方法において、基板上に形成した配線パタンの密集度に応じて、前記配線パタン上に形成する埋め込み絶縁層の膜厚を変えること。

請求項（抜粋）：

機械化学研磨法(CMP)を用いて基板上に形成した半導体装置の配線層を平坦化する半導体装置の製造方法において、基板上に形成した配線パタンの密集度に応じて、前記配線パタン上に形成する埋め込み絶縁層の膜厚を変えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/304 321

FI (2件)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/304 321 S