特許

J-GLOBAL ID：200903041274132624

SiGe熱電材料からなる熱電変換素子とその製造方法。

発明者： 佐々木 公洋 ,  畑 朋延
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-088190
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282977
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】 従来の熱電材料の中で、テルル系化合物は熱電特性の指数となる性能指数zが室温付近で約2×10-3[1/K]と比較的大きいものの、有害物質でできていて環境保全上問題である。SiGe系材料は、性能指数zが1×10-3[1/K]前後で、zT=1程度であり、実用化の目安となるzT=100以上のものは得られていなかった。【構成】 Si/Ge超格子構造あるいはその合金体にB、Al、Ga、Inから選ばれる少なくとも1種のIIIB族元素、P、As、Sbから選ばれる少なくとも1種のVB族元素、または炭素(C)をドーパントとして1〜10原子%添加して、不完全エピタキシャル成長させたSiGe熱電材料からなることを特徴とする熱電変換素子。

請求項（抜粋）：

Si/Ge超格子構造あるいはその合金体にB、Al、Ga、Inから選ばれる少なくとも1種のIIIB族元素、P、As、Sbから選ばれる少なくとも1種のVB族元素、または炭素(C)をドーパントとして1〜10原子%添加して、不完全エピタキシャル成長させたSiGe熱電材料からなることを特徴とする熱電変換素子。

IPC (4件)：

H01L 35/34 ,  C23C 14/06 ,  H01L 21/203 ,  H01L 35/14

FI (4件)：

H01L 35/34 ,  C23C 14/06 E ,  H01L 21/203 S ,  H01L 35/14

Fターム (16件)：

4K029AA06 ,  4K029BA52 ,  4K029BB07 ,  4K029BC10 ,  4K029BD00 ,  4K029DC04 ,  4K029DC05 ,  4K029DC37 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103GG10 ,  5F103LL20 ,  5F103RR05 ,  5F103RR10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 熱電対
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-082861   出願人：株式会社アイ・エイチ・アイ・エアロスペース