特許
J-GLOBAL ID：200903041280838059
積層配線基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
片桐 光治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-081174
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277920
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 信頼性の高い積層配線基板を生産性よく製造する方法の提供。【解決手段】 (a)予め作成された配線基板1上に、活性光線感応型レジスト層3を形成する工程、(b)活性光線によってレジスト層を選択的に照射・露光する工程、(c)現像により不要なレジスト部分を除去して所望の配線パターン2のレジスト層を形成せしめる工程、(d)所望の配線パターンのレジスト層を形成せしめてなる基板上に、非現像型硬化性絶縁材層5を形成する工程、(e)残存するレジスト層を除去する工程、(f)基板の片面又は両面全体に金属メッキを施こして金属メッキ層6を形成する工程及び、(g)該金属メッキ層上にレジスト層を形成し、活性光線によって選択的に露光し、現像し、ついでエッチングすることによって回路を形成する工程、を順次行うことを特徴とする積層配線基板の製造方法を提供する。
請求項（抜粋）：
絶縁層を介して回路を積層してなる積層配線基板の製造方法において、(a)予め作成された配線基板上に、活性光線感応型レジスト層を形成する工程、(b)所望の配線パターンが得られるように、フォトマスクを介し、活性光線によってレジスト層を選択的に照射・露光する工程、(c)現像により不要なレジスト部分を除去して所望の配線パターンのレジスト層を形成せしめる工程、(d)不要なレジスト部分を除去して形成された凹みを埋めるように、所望の配線パターンのレジスト層を形成せしめてなる基板上に、非現像型硬化性絶縁材層を形成する工程、(e)残存するレジスト層を除去する工程、(f)基板の片面又は両面全体に金属メッキを施こして金属メッキ層を形成する工程及び、(g)該金属メッキ層上にレジスト層を形成し、活性光線によって選択的に露光し、現像し、ついでエッチングすることによって回路を形成する工程、を順次行うことを特徴とする積層配線基板の製造方法。
FI (3件)：
H05K 3/46 N
, H05K 3/46 B
, H05K 3/46 E
5E346AA05
, 5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA43
, 5E346BB01
, 5E346CC08
, 5E346CC52
, 5E346CC53
, 5E346CC55
, 5E346DD02
, 5E346DD03
, 5E346DD22
, 5E346DD48
, 5E346EE33
, 5E346EE38
, 5E346FF04
, 5E346FF23
, 5E346GG01
, 5E346GG15
, 5E346GG17
, 5E346GG19
, 5E346GG22
, 5E346GG23
, 5E346GG27
, 5E346GG28
, 5E346HH33
