特許
J-GLOBAL ID：200903041281366118
容量型半導体センサ
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-005041
公開番号（公開出願番号）：特開平6-213747
出願日： 1993年01月14日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 容量型半導体センサの密閉室の密閉度を高度に保ちつつ上部電極からの信号の取り出しを容易にする。【構成】 半導体基板の一面に下部電極を形成し、その下部電極を取り囲むように枠状の絶縁膜を一様に形成し、その絶縁膜上に導電膜を形成し、一方半導体基板の裏面には容量型半導体センサの密閉室に対応する位置に鐘部を形成し、上部電極を導電膜に接合して設けることで、半導体基板と絶縁膜、導電膜と上部電極とによって容量型半導体センサの密閉空間を構成し、上部電極を導電膜を介して外部に引き出す構造とした。
請求項（抜粋）：
半導体基板の片面に形成された第一の電極と、該第一の電極と平行に前記半導体基板に形成されたダイヤフラム部と、前記第一の電極が形成された半導体基板面に前記第一の電極を包囲するように、かつ表面が平坦に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に表面が平坦に形成された導電膜と、該導電膜に接合し、前記第一の電極と対向するように設けられた第二の電極とを有し、前記半導体基板と、前記絶縁膜及び前記導電膜と、前記第二の電極によって密閉空間が形成されることを特徴とする容量型半導体センサ。
IPC (2件)：
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