特許

J-GLOBAL ID：200903041281588048

フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法

発明者： 宝山 隆博 ,  西嶋 佳孝 ,  小谷 武
出願人/特許権者： ナガセ電子化学株式会社
代理人 (1件)： 塩出 真一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-015238
公開番号（公開出願番号）：特開2001-209190
出願日： 2000年01月25日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【課題】 a-Si、p-Siの腐蝕を阻止又は大幅に抑制する。【解決手段】 一級、二級もしくは三級のアルキルアミン又は一級、二級もしくは三級のアルカノールアミンと、極性有機溶剤と、水と、2,3,6-トリメチルフェノール又は2,4-ジ-tert-ブチルフェノールのうち1種又はそれらの混合物とを主成分としてフォトレジスト剥離剤組成物を構成する。

請求項（抜粋）：

一級、二級もしくは三級のアルキルアミン又は一級、二級もしくは三級のアルカノールアミンと、極性有機溶剤と、水と、2,3,6-トリメチルフェノール又は2,4-ジ-tert-ブチルフェノールのうち1種又はそれらの混合物とを主成分とすることを特徴とするフォトレジスト剥離剤組成物。

IPC (2件)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 B

Fターム (6件)：

2H096AA00 ,  2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096LA02 ,  2H096LA03 ,  5F046MA02