配向制御した多層薄膜とその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-172045
公開番号（公開出願番号）：特開平10-017395
出願日： 1996年07月02日
公開日（公表日）： 1998年01月20日
要約：

【要約】【課題】無配向な下地基板上に格子定数の不整合が2%以上の物質の組み合わせにおいて、特定の面方位で配向した多層薄膜を提供することを目的とする。【解決手段】多層薄膜の形成において、イオンビーム,レーザ光,X線を基板表面に対して照射角度30〜60度の範囲で照射することで原子の配列を行い、その結果配向性を制御した高品質な強誘電体素子,あるいは高誘電体素子,高温超電導線材として活用することができる。【効果】読み出しおよび書き込みを検出する高集積度な強誘電体素子、あるいは高誘電体素子と液体窒素作動の高温超電導マグネットを実現できること。

請求項（抜粋）：

無配向な基板上に形成される格子定数の不整合が2%以上の2種以上の物質の組み合わせによる多層薄膜において、前記物質が特定の面方位で配向していることを特徴とする配向制御した多層薄膜。

IPC (19件)：

C30B 29/22 501 , C30B 23/08 , C30B 25/02 , C30B 29/16 , H01F 6/00 , H01L 21/203 , H01L 21/31 , H01L 21/316 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 39/02 ZAA , H01L 39/24 ZAA , H01L 21/205

FI (16件)：

C30B 29/22 501 N , C30B 23/08 M , C30B 23/08 Z , C30B 25/02 Z , C30B 29/16 , H01L 21/203 Z , H01L 21/31 C , H01L 21/316 X , H01L 27/10 451 , H01L 39/02 ZAA D , H01L 39/24 ZAA D , H01L 21/205 , H01F 7/22 C , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

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