特許
J-GLOBAL ID：200903041287551162
半導体評価方法及び欠陥位置特定装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-004275
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208577
出願日： 1999年01月11日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】【課題】 欠陥位置を3次元的に特定できる半導体評価方法及び欠陥位置特定装置を提供する【解決手段】 半導体評価方法100では,不良状況検出工程110と欠陥位置特定工程120と不良原因解析工程130とが順次実施される。さらに,欠陥位置特定工程120では,第1の工程に相当する第1のOBIC工程122と第2の工程に相当する第2のOBIC工程124と第3の工程に相当する解析工程126とが行われる。第1のOBIC工程122と第2のOBIC工程124とでは,それぞれ異なる照射角で観察面にレーザ光が照射されて,照射位置とOBICとの関係から欠陥位置の相異なる2の平面的な情報が検出される。解析工程126では,かかる相異なる2の平面的な情報から,欠陥位置が3次元的に特定される。
請求項（抜粋）：
評価対象内の所定の半導体層に生じた欠陥位置を特定する欠陥位置特定工程を含む,半導体評価方法であって:前記欠陥位置特定工程は;照射位置を移動させながら第1の光を前記半導体層に照射して,前記第1の光の照射位置と前記半導体層に生じる光起電力との関係を検出する,第1の工程と;照射位置を移動させながら前記第1の光に対し所定の傾きを成す第2の光を前記半導体層に照射して,前記第2の光の照射位置と前記半導体層に生じる光起電力との関係を検出する,第2の工程と;前記第1の工程で検出された関係と前記第2の工程で検出された関係とから前記半導体層の前記欠陥位置を特定する,第3の工程と;を含むことを特徴とする,半導体評価方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/66 N
, G01B 11/30 A
2F065AA25
, 2F065AA49
, 2F065AA54
, 2F065CC17
, 2F065CC19
, 2F065DD06
, 2F065GG04
, 2F065HH14
, 2F065HH18
, 2F065QQ25
, 4M106AA01
, 4M106AA02
, 4M106AA04
, 4M106AA07
, 4M106AB20
, 4M106BA04
, 4M106BA14
, 4M106CA17
, 4M106CA70
, 4M106DH03
, 4M106DH16
, 4M106DH32
, 4M106DJ20
