特許

J-GLOBAL ID：200903041292165033

半導体装置

発明者： 遠藤 和彦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-204085
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070041
出願日： 1994年08月30日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】 フッ素含有ポリイミドを層間絶縁膜に用いて半導体装置の配線浮遊容量を低減させ、なおかつフッ素が含有されたことに起因するポリイミド絶縁膜の密着性の低下を防止する。【構成】 フッ素の含有されていない通常のポリイミドを形成後、ポリイミド表面にフッ素ラジカルを照射し、ポリイミド中にフッ素ラジカルを拡散させて含フッ素ポリイミドを形成するとともに、基板温度、処理時間を制御して、ポリイミド中のフッ素含有量に深さ方向の分布を設け、ポリイミドと下地との界面にフッ素を含有させないことによって、フッ素含有ポリイミドと下地との密着性を向上させる。

請求項（抜粋）：

多層配線層間絶縁膜としてフッ素を含むポリイミド膜を用い、前記ポリイミド膜中のフッ素含有量に深さ方向の分布を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/312

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭60-104129
  
• 特開昭58-046652