特許

J-GLOBAL ID：200903041302600590

球状結晶の製造方法

発明者： 中田 仗祐
出願人/特許権者： 中田 仗祐
代理人 (1件)： 岡村 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-302799
公開番号（公開出願番号）：特開平8-133899
出願日： 1994年11月10日
公開日（公表日）： 1996年05月28日
要約：

【要約】【目的】 結晶構造的に優れ形状の崩れのない球状結晶を結晶基材上に簡単に形成する基板結晶の製造方法、不純物を除去した形状の崩れのない球状結晶を結晶基材上に簡単に形成する基板結晶の製造方法を提供する。【構成】 半導体の結晶基材10に突起部11を一体的に形成し、結晶基材10の表面と突起部11の基部の外面全面を覆う流動規制膜12を形成し、突起部11の先端に加熱ビーム13を照射して、突起部11の先端側部分を融解させ、融液の表面張力の作用と流動規制膜の流動規制作用により融液を球状に固化させて、球状結晶14を形成する。

請求項（抜粋）：

金属又は金属酸化物又は非金属材料からなる結晶基材に、その表面から突出するように、金属又は金属酸化物又は非金属材料からなる結晶からなる細径の突起部を設ける第1の工程と、上記突起部のうちの先端から離れた基部の外面全面に、突起部を構成する結晶よりも高融点の流動規制被膜を形成する第2の工程と、上記突起部の先端に加熱用ビームを照射し、突起部のうちの流動規制被膜よりも先端側部分を融解させる第3の工程と、上記突起部に対する加熱用ビームの照射を止め、上記融解した部分を表面張力の作用と流動規制被膜の流動規制作用によりほぼ球状の球状結晶に固化させる第4の工程と、を踏んで球状結晶を製造することを特徴とする球状結晶の製造方法。