特許
J-GLOBAL ID：200903041302821503
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-342422
公開番号（公開出願番号）：特開平6-195989
出願日： 1992年12月22日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 電気的情報の書込み及び消去可能な複数のメモリブロック夫々に対するデータ消去の確認を迅速に行う。【構成】 メモリセルアレイ1内における電気的情報の書込み及び一括消去が可能な複数のメモリブロック1a〜1e夫々に、データが消去されたときフラグを立てる回路16と、書込みに際して前記回路16にフラグが立てられているか否かを検出するフラグリード回路17a 〜17e とを設け、各メモリブロック1a〜1e内のデータが消去されているか否かの確認、即ち消去チェックをフラグが立てられているか否かによって確認可能とする。
請求項（抜粋）：
行及び列方向に多数のメモリセルをアレイ状に配置して構成された1又は複数個のメモリブロックを持つメモリセルアレイと、外部から入力されたアドレス信号をデコードし、行及び列方向の選択を行うXデコーダ及びYデコーダと、メモリセルに記憶されている情報の内容を検出するセンスアンプとを備え、前記各メモリブロック毎に電気的書込み及び消去を可能とした不揮発性半導体記憶装置において、前記各メモリブロック毎に当該メモリブロック内のデータが消去されたときフラグを立てる手段と、当該ブロック内のメモリセルに書込みを行う際に前記フラグを検出して当該メモリブロックのデータが消去されているか否かを確認する手段とを備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
FI (2件)：
G11C 17/00 309 A
, G11C 17/00 309 C
