特許
J-GLOBAL ID:200903041304127450
クラスレート化合物、熱電変換素子及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (4件):
中島 淳
, 加藤 和詳
, 西元 勝一
, 福田 浩志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-024310
公開番号(公開出願番号):特開2005-217310
出願日: 2004年01月30日
公開日(公表日): 2005年08月11日
要約:
【課題】 新規なクラスレート化合物及びそれを用いた熱電変換素子並びに熱電変換素子の製造方法の提供。【解決手段】 新規なBaAuGe系、BaAuGaGe系、BaPtGe系、BaPdGe系、BaPdGaGe系、BaPdGaSi系、BaPtGaSi系、BaCuGaGe系、BaAgGaGe系クラスレート化合物及びそれを用いた熱電変換素子並びに溶融工程と熱処理工程と微粒子化工程と焼結工程とを有する熱電変換素子の製造方法である。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
下記組成式(1)で表されるクラスレート化合物。
Ba8AuaGe46-a (16/3≦a≦6) (1)
IPC (5件):
H01L35/14
, C22C1/04
, C22C28/00
, H01L35/34
, H02N11/00
FI (5件):
H01L35/14
, C22C1/04 E
, C22C28/00 B
, H01L35/34
, H02N11/00 A
Fターム (4件):
4K018AA40
, 4K018CA02
, 4K018DA23
, 4K018EA60
引用特許:
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