特許
J-GLOBAL ID:200903041310161911

半導体装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 隆久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-220368
公開番号(公開出願番号):特開2000-058699
出願日: 1998年08月04日
公開日(公表日): 2000年02月25日
要約:
【要約】【課題】 多ピン化・狭ピッチ化等の高密度化を、安価な製造コストと高い作業効率とともに実現する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 少なくとも一の半導体チップ14が封止され、少なくとも一面側に半導体チップ14の接続端子と接続された複数の端子15が配置されている半導体装置1において、それぞれ隣接する端子15との間隔が互いに等間隔となるように端子15を配置した。
請求項(抜粋):
少なくとも一の半導体チップが封止され、少なくとも一面側に当該半導体チップの接続端子と接続された複数の端子が配置されている半導体装置であって、前記複数の端子は、それぞれ隣接する端子との間隔が互いに等間隔となるように配置されている半導体装置。
FI (3件):
H01L 23/12 L ,  H01L 23/12 Q ,  H01L 23/12 J

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