特許
J-GLOBAL ID：200903041310976079
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-035897
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213449
出願日： 1995年02月02日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【目的】 段差のないLOCOS酸化膜を形成しうるようにして、その後に行われるフォトリソグラフィ工程での精度を向上させる。【構成】 シリコン基板101上に、パッド酸化膜102、窒化膜103、レジスト膜104を形成する(a)。窒化膜、パッド酸化膜、基板をエッチングする(b)。レジストを除去する(c)。熱酸化を行って、LOCOS酸化膜105を形成する(d)。窒化膜103を除去する(e)。追加の熱酸化を行って酸化膜106を形成する(f)。SOG法により、ガラス膜107を形成する(g)。エッチバックを行って、ガラス107と酸化膜106の一部を除去する(h)。ウエット法により残りの酸化膜106を除去する(i)。
請求項（抜粋）：
(1)シリコン基板上に第1のシリコン酸化膜とシリコン窒化膜とを形成する工程と、(2)ドライエッチング法により形成すべき素子分離酸化膜の形状に前記シリコン窒化膜を選択的に除去する工程と、(3)シリコン窒化膜の除去された領域のシリコン基板を所定の深さまで除去する工程と、(4)前記シリコン窒化膜をマスクとする熱酸化を行って、表面が基板表面より高くなるように第2のシリコン酸化膜を形成する工程と、(5)前記シリコン窒化膜を除去する工程と、(6)全面に第3のシリコン酸化膜を追加形成する工程と、(7)エッチングレートが酸化シリコンのそれとほぼ等しい材料を用いて、全面に表面が平坦な平坦化膜を形成する工程と、(8)異方性ドライエッチング法により、前記平坦化膜およびその下のシリコン酸化膜を、シリコン基板の表面を露出させない条件で、エッチング除去する工程と、(9)ウエットエッチング法により、残余の第1および第3のシリコン酸化膜を除去して平坦部のシリコン基板表面を露出させる工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/76 M
, H01L 21/94 A
