特許
J-GLOBAL ID：200903041317456860
化合物半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-061203
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256670
出願日： 1997年03月14日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 従来作成できなかった窒化物と燐及び砒化物との化合物の半導体と同等の化合物薄膜を成長可能とし、新規な半導体レーザを実現する。【解決手段】 n型GaAs基板11上にIII-V族化合物半導体からなる複数の半導体薄膜を積層した化合物半導体レーザにおいて、複数の半導体薄膜のうちの活性層14を、アンドープの5.6nmのGaAs層141と0.5nmのGaInN層142の組み合せで厚さ100nmの超格子で形成した。そして、GaInN層142の部分は、Ga:Inを8:2としGaAsと結合長さがほぼ等しくなるように設計した。
請求項（抜粋）：
単結晶基板上にIII-V族化合物半導体からなる複数の半導体薄膜が積層された化合物半導体素子において、前記複数の半導体薄膜の少なくとも一部は、窒素を含むV族元素及び III族元素からなる第1の化合物層と、窒素を含まないV族元素及び III族元素からなる第2の化合物層とを交互に積層してなり、第1及び第2の化合物層のうち、前記基板と格子定数の遠い方を前記基板と格子定数の近い方よりも薄く形成してなることを特徴とする化合物半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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