特許
J-GLOBAL ID：200903041323123776
半導体量子ドットを有する半導体部材の製造方法、半導体レーザ及びそれを用いた光モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
小川 勝男
, 田中 恭助
, 佐々木 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-222730
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063957
出願日： 2002年07月31日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：
【課題】S-Kモード成長した半導体量子ドットを用いて、鋭いエネルギースペクトルを示す半導体部材を提供するためには、ドットサイズを均一化する必要がある。【解決手段】GaAs基板上にS-Kモード成長を利用して作製したInAs量子ドットをGaAsで埋め込んで表面を平坦にした後、分子層を一層、一層エッチングする分子層エッチングを、成長槽内から移動せずに連続的に行なう。ドットの頂上に達するまでエッチングを行ない、高さの揃ったInAs量子ドットを得る。【効果】加工による結晶へのダメージを与えずに、半導体量子ドットの高さばらつきを低減した結果、閾値電流が小さく、温度特性に優れた半導体レーザなどの半導体部材を実現することが可能となる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に自己形成によって量子ドットを形成する第一工程と、前記量子ドットの構成材料とは異なる材料からなる第一埋め込み層を形成することによって前記量子ドットを前記第一埋め込み層の中に埋め込む第二工程と、高さが最も高い量子ドットを少なくとも含む量子ドットの頂上部をエッチングするまで、前記第一埋め込み層の表面に対して分子層エッチングを施す第三工程とを有することを特徴とする量子ドットを有する半導体部材の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S5/343
, H01L29/06 601D
5F073AA13
, 5F073AA75
, 5F073AB17
, 5F073AB28
, 5F073BA02
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073CB07
, 5F073DA05
, 5F073DA06
, 5F073DA21
