特許

J-GLOBAL ID：200903041325435414

半導体装置及びその製造方法

発明者： 矢吹 宗
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (7件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-298500
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134611
出願日： 2002年10月11日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：

【課題】キャパシタに接続される配線の特性や信頼性を向上させることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板11と、半導体基板の上方に設けられ、下部電極21と、上部電極23と、上部電極と下部電極との間に設けられた誘電体膜22とを含むキャパシタと、キャパシタを含む領域上に設けられた絶縁膜24と、上部電極に接続された配線であって、絶縁膜内にバリアメタル膜53aを介して設けられ上部電極から垂直方向に延伸した第1の導電部54aと、絶縁膜内にバリアメタル膜を介さずに設けられ第1の導電部と離間した位置で垂直方向に延伸した第2の導電部59とを含む第1の配線とを備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板の上方に設けられ、下部電極と、上部電極と、前記上部電極と下部電極との間に設けられた誘電体膜とを含むキャパシタと、 前記キャパシタを含む領域上に設けられた絶縁膜と、 前記上部電極に接続された配線であって、前記絶縁膜内にバリアメタル膜を介して設けられ前記上部電極から垂直方向に延伸した第1の導電部と、前記絶縁膜内にバリアメタル膜を介さずに設けられ前記第1の導電部と離間した位置で垂直方向に延伸した第2の導電部と、を含む第1の配線と、 を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L27/105 ,  H01L21/768

FI (3件)：

H01L27/10 444B ,  H01L21/90 A ,  H01L21/90 C

Fターム (47件)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK07 ,  5F033KK35 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN08 ,  5F033NN37 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033TT02 ,  5F033VV10 ,  5F033VV16 ,  5F083FR02 ,  5F083JA15 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19