特許

J-GLOBAL ID：200903041325607100

不揮発性半導体メモリ装置

発明者： 梶谷 雅典
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-081481
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275480
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：

【要約】【課題】 フローティングゲートを有する不揮発性半導体メモリ装置の書き込み効率を向上する。【解決手段】 メモリセルトランジスタ40が接続されるビット線42に、電流容量が1倍、2倍、4倍に形成されて並列接続される複数のスイッチングトランジスタ31〜33からなる電流制限回路30を接続し、ビット線42を接地できるようにする。ソース線43から供給する書き込みクロックφWの波高値を一定に維持し、電流制限回路30のスイッチングトランジスタ31〜33を選択的にオンさせるようにして書き込み電流IPPを段階的に増加させるようにしてアナログ情報の書き込みを行う。

請求項（抜粋）：

電気的に独立したフローティングゲートを有し、このフローティングゲートに蓄積される電荷の量に応じてオン抵抗値を変化させるメモリセルトランジスタと、上記メモリセルトランジスタのソース側に接続されるソース線と、上記メモリセルトランジスタのドレイン側に接続されるビット線と、上記ビット線に対して、所定の倍率で電流容量が増大する複数のスイッチングトランジスタが並列に接続され、各スイッチングトランジスタを選択的にオンして電流容量を段階的に変化させる電流制限回路と、を備え、上記ソース線と上記ビット線との間に一定の電位を一定の周期で印加して上記メモリセルトランジスタに電流を流し、上記メモリセルトランジスタのフローティングゲートに電荷を注入するとき、上記電流制限回路が所定の周期を経過する毎に電流容量を段階的に増加させることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。