特許
J-GLOBAL ID：200903041325763799
担体寿命測定方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-030660
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240450
出願日： 1994年02月28日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：
【要約】【目的】光によるキャリア励起に伴うマイクロ波帯のコンダクタンス変化を反射電磁波の変化として非接触検出する方法において、測定される担体寿命の表面再結合成分を低減するためにコロナ放電による試料表面の帯電を行う。【構成】測定すべき被測定物の表面に絶縁膜を形成し、励起光が照射される表面領域にコロナ放電により帯電層を形成させ少数キャリアの再結合を抑制した状態で、被測定物の担体寿命を測定する。
請求項（抜粋）：
熱平衡状態の半導体基板の表面近傍に光励起により過剰キャリアを注入し、過剰キャリア濃度の減衰過程をコンダクタンスの変化としてとらえてマイクロ波の反射量の時間的変化を検出して測定する光励起法による担体寿命測定方法において、担体寿命の測定に先立って、半導体基板の表面に絶縁膜を設け、その上に電荷層を形成させることを特徴とする担体寿命測定方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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