特許

J-GLOBAL ID：200903041338027960

半導体集積回路

発明者： 中込 儀延 ,  伊藤 清男 ,  青木 正和
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-142656
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335935
出願日： 1992年06月03日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 速度性能の劣化や、待機時電流の増大なしに、消費電力の低減が可能な集積回路を提供する。【構成】 半導体集積回路を少なくとも、集積回路ブロック(BLK1,BLK2)と、それらの間の信号伝送を行う信号配線(SIG1)、信号配線を低振幅で駆動する回路(DRV1)、低振幅を高振幅に変換する受信回路(REC2)、とで構成する。駆動回路はNMOS(TN2)を充電、PMOS(TP2)を放電に用い、低振幅信号の高レベルをVCC-VTN、低レベルをVSS-VTPとする。【効果】 大きな寄生容量の電圧振幅が低減でき、集積回路の消費電力を低減できる。また、待機時においても、電源間(VCCからVSS)の貫通電流はなく、信号線へのリーク電流も時間とともに減少するため、低い待機時電流を実現できる。

請求項（抜粋）：

第1の信号振幅で動作するCMOS回路と第2の信号振幅で動作するCMOS回路をそれぞれ少なくとも含み、第1の信号振幅の高レベルは第2の信号振幅の高レベルよりも大きく、第1の信号振幅の低レベルは第2の信号振幅の低レベルよりも小さく設定され、第1の信号振幅の高レベルと第2の信号振幅の高レベルの差はNMOSトランジスタあるいはPMOSトランジスタのいずれかのしきい値電圧の絶対値にほぼ等しく、第1の信号振幅の低レベルと第2の信号振幅の低レベルの差はNMOSトランジスタあるいはPMOSトランジスタのいずれかのしきい値電圧の絶対値にほぼ等しいことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (4件)：

H03K 19/0948 ,  H03K 17/687 ,  H03K 19/003 ,  H03K 19/017

FI (2件)：

H03K 19/094 B ,  H03K 17/687 F