特許
J-GLOBAL ID：200903041341441823
半導体回路およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-067981
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318700
出願日： 1994年03月11日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：
【要約】【目的】 薄膜トランジスタ(TFT)の回路において、低リーク電流のTFTと高速動作が可能なTFTを有する半導体回路およびそのような回路を作製するための方法を提供する。【構成】 アモルファスシリコン膜に密着して触媒元素を有する物質を形成し、もしくはアモルファスシリコン膜中に触媒元素を導入し、このアモルファスシリコン膜を、通常のアモルファスシリコンの結晶化温度よりも低い温度でアニールすることによって、選択的に結晶化をおこない、次に、結晶化しなかった領域をレーザーもしくはそれと同等な強光によって結晶化する。そして、先に熱アニールによって結晶化した領域をアクティブマトリクス回路の画素回路に使用されるTFTに、後でレーザーによって結晶化した領域を周辺駆動回路に使用されるTFTに用いる。
請求項（抜粋）：
基板上に、形成されたモノリシックアクティブマトリクス回路において、マトリクス部の薄膜トランジスタの活性領域は1×1017cm-3またはそれ以上の濃度の触媒元素を有し、前記、周辺駆動回路の薄膜トランジスタでの触媒元素の濃度は、1×1017cm-3未満であることを特徴とする半導体回路。
IPC (7件)：
H01L 29/784
, G02F 1/1343
, G02F 1/136 500
, H01L 21/20
, H01L 21/265
, H01L 21/324
, H01L 21/336
H01L 29/78 311 A
, H01L 21/265 B
, H01L 29/78 311 Y
