特許

J-GLOBAL ID：200903041344735674

半導体素子およびその製造方法

発明者： 中村 泰信
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 井出 直孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-313606
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172204
出願日： 1994年12月16日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 半導体素子の電極間の相互容量を小さくして集積化を容易にするとともに、動作温度の低下を抑制して集積回路の設計を容易に行えるようにする。【構成】 半導体材料の基板32を裏面からくり抜くことにより枠を形成し、この枠の片面に形成された絶縁膜31を残す。この絶縁膜31の表面に半導体接合を有する電極対35,36を形成する。半導体材料32には真性半導体である真性シリコンを用い、絶縁膜31には窒化シリコンを用いる。さらに、半導体接合には温度条件により単一電子トンネリング効果を呈するトンネルバリアを用い、電極対35,36の金属電極にはアルミニウムを用いる。

請求項（抜粋）：

半導体材料により形成された枠と、この枠の片面に形成された絶縁膜とを備え、この絶縁膜の表面に半導体接合を有する電極対が形成されたことを特徴とする半導体素子。

IPC (5件)：

H01L 29/80 ,  H01L 27/10 371 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/88

FI (2件)：

H01L 29/80 A ,  H01L 29/88 Z