特許

J-GLOBAL ID：200903041348069679

窒化物半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 佐野 雅彦
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (2件)： 豊栖 康司 ,  豊栖 康弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-435311
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197289
出願日： 2003年12月26日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

【課題】金属電極層と透光性導電層との界面の劣化を低減して品質を高めた窒化物半導体発光素子等を提供する。【解決手段】窒化物半導体発光素子は、対向する一対の主面を有する基板11と、前記基板11の一方の主面上に積層される第1の伝導型窒化物半導体層と、前記第1の伝導型窒化物半導体層上に積層される第2の伝導型窒化物半導体層と、前記第1の伝導型窒化物半導体層と第2の伝導型窒化物半導体層との間に形成される活性層14と、前記第2の伝導型窒化物半導体層と電気的に接続される金属電極層と、前記第2の伝導型窒化物半導体層と金属電極層との間に形成される透光性導電層とを備える。この窒化物半導体発光素子は、前記透光性導電層と金属電極層との間で、少なくとも一部に所定のパターンで反射層31が形成されている。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

対向する一対の主面を有する基板と、 前記基板の一方の主面上に積層される第1の伝導型窒化物半導体層と、 前記第1の伝導型窒化物半導体層上に積層される第2の伝導型窒化物半導体層と、 前記第1の伝導型窒化物半導体層と第2の伝導型窒化物半導体層との間に形成される活性層と、 前記第2の伝導型窒化物半導体層と電気的に接続される金属電極層と、 前記第2の伝導型窒化物半導体層と金属電極層との間に形成される透光性導電層と、 を備える窒化物半導体発光素子であって、 前記透光性導電層と金属電極層との間で、少なくとも一部に反射層が形成されてなることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (22件)：

5F041AA03 ,  5F041AA21 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA91 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CB15 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11 ,  5F041FF14

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 実開平6-38265号公報
  

審査官引用 (1件)

• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-021126   出願人：日亜化学工業株式会社